近年来，国际IC产业形势快速变化，几家龙头大厂不断增加资本投入力度，制程工艺也得到提升。与此同时，国内IC业因为“国家集成电路产业投资基金”（大基金）设立等因素，受到业内外的广泛关注。应当如何看待集成电路产业新出现的发展趋势？如何借国家政策助推之力追赶国际先进水平？在近日中国科学院微电子所举办的“第二届科技开放日”上，《中国电子报》记者专访了中国科学院微电子研究所所长叶甜春。

行业没有出现过多的泡沫

现在的半导体行业还远远谈不上过热，只是预热罢了。一个高速发展的行业，适度的泡沫是需要的。

《中国电子报》：大基金建立已有半年左右时间。经过这半年来的运行，您认为有何经验与应当注意的地方？

叶甜春：任何产业的发展都需要产业链、创新链与金融链的协同推进。2008年随着核高基、集成电路专项、新一代无线通信等国家科技重大专项的启动，我国开始围绕集成电路的产业链加快部署创新链；2011年发布的《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策》（国发〔2011〕4号文），在资金、政策、融资、人才等方面为集成电路企业提供了重大支持，产业链建设加速；而2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》（国发〔2014〕4号文）发布后，建立了国家级的集成电路产业基金，同时鼓励社会资本投入，激活了集成电路产业的金融链。这是建立大基金最有意义的地方。

至于你所说的评价总结，现在还有点早。毕竟它才只投入几个项目，还处于布局阶段。不过，我这里可以给出两点建议：一是基金的布局应当加快步伐。有的时候机会稍纵即逝，资金只有投出去了，效果是好是坏才能看得出来，犹豫不决没有任何作用。二是可以更多关注制造、装备、材料等领域。这些领域可能投资风险更大，但是这些领域也更加需要国家资金的引导和支持。只有这些领域赶上来了，国家集成电路的整体实力才能提升。

《中国电子报》：有观点认为，受大基金建立的影响，我国集成电路产业现在有些过热了。您怎么看？

叶甜春：现在还远远谈不上过热，只是预热罢了，行业也没有出现过多的泡沫。一个高速发展的行业，适度的泡沫是需要的，当然过多的泡沫是不利的，但现在还没有达到这种程度。

《中国电子报》：观察大基金现在实施的几个投资案例，多为参与（或者支持）企业的并购活动。您认为在扶持产业成长上，是否应当有更多的手段？

叶甜春：扶持产业成长，手段当然是多样的。但我认为就现阶段而言，国家基金的主要工作就是辅助企业完成并购整合。因为我国企业仅靠自我循环发展是不够的，并购可以整合全球的资源，可以获得更大的加乘效应。另外，目前全球集成电路产业相对饱和，每年产业规模增长速度也就5%左右。如果我们不从全球产业角度看问题，盲目投入扩大产能，产能过剩等问题就有可能出现，进而引起更加激烈的竞争。这对中国企业来说并不是一件好事。而通过并购整合，可以把现有的资源拿来为我所用，既解决自身存在的问题，又不致导致大量过剩产能问题，这才是双赢的局面。当然了，有些工作是必须要中国企业自己完成的，比如涉及关键设备、材料等，事关产业链、供应链等。

目前，大基金正处布局阶段，在制造、封装、设计等领域已经有了投资案例，相信随着晶圆制造等领域布局的初步完成，未来将会在装备材料等领域加大力度。

夯实基础是最大成就

以前我们说与先进水平相差二代，实际在许多基础领域是有很多缺失的。我们正在逐渐把这些缺失的环节弥补起来。

《中国电子报》：去年以来，三星、台积电、英特尔在先进工艺上取得较快进展，现已量产14纳米，16纳米（今年中期也将量产），并开始向10纳米挺进。相对而言，中芯国际28纳米量产仍不顺畅。有人认为中国半导体产业，至少在晶圆制造上，又与国际先进水平间的差距拉大了。对此您如何看待？

叶甜春：这个问题要全面来看。以前我们常说中国集成电路与国际水平相差2代，这其实带有一定自欺欺人的意味。一个成熟的工业产业就像一座金字塔，如果说先进工艺是塔尖的话，其他材料、装备以及各种IP、工具就是塔基。只有有了坚实塔基之后逐渐向上延展最终形成塔尖，才是一个康健成熟的产业。以前我们说与先进水平相差2代，实际在许多基础领域是有很多缺失的。打个比方就像是在一个金字塔的基座上插了一根旗杆去和别人的金字塔比，从单一指标看起来好似与国际先进水平只差了一到两代，实际从整体上根本不能相比，差5代都不止。可是经过这些年的努力，特别是经过重大专项的实施，我们正在逐渐把这些缺失的环节弥补起来，也即是把金字塔的基础逐步垒起来了，这个1代到2代的差距是真实的差距。这是最大的成就。尽管国际先进水平已经到达14纳米，可是当我们的基础夯实后，再追赶就快了，况且我们已经在14纳米等工艺节点上，包括工具、装备、材料等进行了大量布局，各项研发工作早就展开了。

至于中芯国际，28纳米的量产爬坡本就需要一定时间，况且其面对的多是高端客户，需要长一些时间，也属正常。他们的计划和国际上一样，要跳过20纳米直接进入14纳米。所以，考虑到20纳米是一个被放弃的技术代，实际上差距已经缩短到1代了，而且从综合实力和研发准备来看，追赶的速度应该会很快。

在世界技术前沿寻找突破点

近年来微电子所在14纳米至7纳米工艺技术带上进行了大量关键工艺的研发，比如14纳米FinFET器件等。

《中国电子报》：中科院微电子所近年在技术研发上取得哪些进展？将有哪些新的举措？

叶甜春：中科院微电子所的创新理念是要在国家集成电路产业链建设与战略性新兴产业发展中寻找定位，同时面向世界前沿的微电子技术创新中寻找突破点。就集成电路先导技术领域而言，近年来微电子所在14纳米至7纳米工艺技术带上进行了大量关键工艺的研发，取得了一定的成绩，比如在22纳米高k介质/金属栅工程、14纳米FinFET器件等关键技术上就有许多突破，高k介质/金属栅领域的专利申请数世界排名第六，FinFET领域的专利申请数世界排名第十二。此外，特别是在三维存储器技术上，微电子所与武汉新芯共建了中科新芯先进存储器联合研发中心，在授权许可相关专利的基础上，派出核心技术团队进驻企业进行联合研发。这种新的模式取得了良好的效果。2015年5月，武汉新芯宣布，其3D NAND项目研发取得突破性进展，第一个具有9层结构的存储测试芯片通过存储器功能的电学验证，这项突破只用了8个月时间。按计划将于今年底拿出32层结构的测试芯片。

另外，微电子所为了响应国家“大众创业万众创新”的号召，近期启动了一项“微电子所创新计划”的活动，目的是鼓励全国范围内高校在校学生、研究生和社会研发人员开展新产品、新技术和新服务的研发，可以利用微电子所现有的科研平台、经费和场地，支持有志于在微电子技术领域有创新思想的人员开展活动。只要通过评估，具体方式分为三个阶段进行：第一阶段是以新产品为目的的创新技术研发，时间为6个月，微电子所将提供研发经费以及前道、后道、测试和设计支持；第二阶段，以产品开发和市场应用为目的，在第一阶段的基础上，通过评估，时间为12个月到18个月，微电子所提供研发经费以及前道、后道、测试和设计支持；第三阶段，以市场应用为目的，时间一年半，微电子所协助融资。

目前，社会上有创新想法的人很多，有些理念也很好。可是这些想法往往不完整，也缺乏技术手段和资金去实现。这些有创意的人，在落实创新想法的过程中，需要技术支撑，需要投融资服务。在国家倡导创新，营造创新氛围的背景下，国有的科研院所可以发挥哪些作用？我们认为微电子所与社会上的一般的创新孵化平台不同之处是有更丰富的设备和技术实力，不仅能够提供各种开发过程中的设备，而且有专业的导师进行辅导，也就是说有一支团队进行支持。