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GA05JT12-263

型号 :
GA05JT12-263
制造商 :
GeneSiC Semiconductor
简介 :
TRANS SJT 1200V 15A
PDF :
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库存 :
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单价 :
1 - 10 :  ¥ 78.58
11 - 100 :  ¥ 77.88
101 - 1000 :  ¥ 76.48
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公司地址:
深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 功能 碳化硅 (SiC)
FET 类型 Junction Transistor, Normally Off
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
-
供应商器件封装
-
功率 - 最大值 106W
安装类型
-
封装/外壳
-
工作温度 175°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc)
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