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GP1M003A090PH

型号 :
GP1M003A090PH
制造商 :
Global Power Technologies Group
简介 :
MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
PDF :
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库存 :
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单价 :
1 - 10 :  ¥ 10.06
11 - 100 :  ¥ 9.97
101 - 1000 :  ¥ 9.79
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深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 748pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 17nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.1 欧姆 @ 1.25A, 10V
供应商器件封装 I-Pak
功率 - 最大值 94W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc)
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