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2SK536-TB-E

型号 :: 2SK536-TB-E

制造商 :: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

简介 :: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

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2SK536-TB-E

FET 功能	标准
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	15pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	20 欧姆 @ 10mA，10V
供应商器件封装	3-CP
功率 - 最大值	200mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作温度	125°C（TJ）
漏源极电压（Vdss）	50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA（Ta）

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