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IRF6810STR1PBF

型号 :
IRF6810STR1PBF
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N CH 25V 16A S1
PDF :
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库存 :
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单价 :
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公司地址:
深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1038pF @ 13V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 11nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 5.2 毫欧 @ 16A,10V
供应商器件封装 DIRECTFET S1
功率 - 最大值 2.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 DirectFET™ 等容 S1
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Ta),50A(Tc)
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