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IPP039N04LGHKSA1

型号 :
IPP039N04LGHKSA1
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 40V TO220-3
PDF :
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库存 :
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单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价

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公司地址:
深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 45µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 6100pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 78nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 80A,10V
供应商器件封装 PG-TO-220-3
功率 - 最大值 94W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
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