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SPP11N60CFDHKSA1

型号 :
SPP11N60CFDHKSA1
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
PDF :
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库存 :
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单价 :
暂无价格
数量 : 加入询价

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公司地址:
深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 500µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1200pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 64nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 440 毫欧 @ 7A,10V
供应商器件封装 PG-TO220-3-1
功率 - 最大值 125W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
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