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IRFHM8363TR2PBF

型号 :
IRFHM8363TR2PBF
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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单价 :
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深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1165pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 15nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 14.9 毫欧 @ 10A,10V
供应商器件封装 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
功率 - 最大值 2.7W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A
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