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AUIRF7341Q

型号 :
AUIRF7341Q
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
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深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 780pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 44nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 5.1A,10V
供应商器件封装 8-SO
功率 - 最大值 2.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A
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