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IPG20N06S415ATMA1

型号 :
IPG20N06S415ATMA1
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
PDF :
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库存 :
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单价 :
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公司地址:
深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 功能 标准
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 20µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2260pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 29nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 15.5 毫欧 @ 17A,10V
供应商器件封装 PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
功率 - 最大值 50W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A
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