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IPG20N06S4L14ATMA1
- 型号 :
- IPG20N06S4L14ATMA1
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 简介 :
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 20µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 2890pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 39nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 13.7 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-4（5.15x6.15） |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 20A |
