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2SK536-TB-E

型号 :
2SK536-TB-E
制造商 :
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
简介 :
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
PDF :
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库存 :
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单价 :
暂无价格
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公司地址:
深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 15pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 欧姆 @ 10mA,10V
供应商器件封装 3-CP
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 125°C(TJ)
漏源极电压(Vdss) 50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100mA(Ta)
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