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PMBFJ113,215

型号 :
PMBFJ113,215
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
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库存 :
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单价 :
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公司地址:
深圳市福田区华强北路宝华大厦A808
FET 类型 N 沟道
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 3V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 6pF @ 10V(VGS)
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 2mA @ 15V
供应商器件封装 SOT-23(TO-236AB)
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏极电流(Id) - 最大值
-
漏源极电压(Vdss) 40V
电压 - 击穿(V(BR)GSS) 40V
电阻 - RDS(开) 100 欧姆
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